大力發(fā)展寬禁帶半導(dǎo)體為綠色能源做貢獻(xiàn)
嚴(yán)格的質(zhì)量控制和檢測(cè)流程
用芯片點(diǎn)亮綠色能源
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一款30W的1A1C口PD快充,該方案由電源主控芯片及同步整流IC和協(xié)議···
氮化鎵在高頻性能方面的不可替代優(yōu)勢(shì) 1、5G 通信基站 在5G通信領(lǐng)···
SiC MOSFET介紹及應(yīng)用在半導(dǎo)體技術(shù)迭代的浪潮中,以碳化硅(SiC)···
碳化硅在半導(dǎo)體領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)碳化硅之所以能在半導(dǎo)體領(lǐng)域異軍突起,···
氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物質(zhì),化學(xué)式為GaN,是氮和鎵的化合物,是一種具···
氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,由于其獨(dú)特的性質(zhì)和廣泛的···
氮化鎵在高頻性能方面的不可替代優(yōu)勢(shì) 1、5G 通信基站 在5G通信領(lǐng)域,氮化鎵已成為基站功率放大器的首選材料···
2025-10-23
隨著生成式AI和大語(yǔ)言模型的爆發(fā)式增長(zhǎng),全球算力需求呈指數(shù)級(jí)攀升。這股浪潮的直接后果是數(shù)據(jù)中心能源消耗···
隨著全球?qū)δ苄А⒐β拭芏群拖到y(tǒng)小型化要求的不斷提升,傳統(tǒng)硅基功率器件的性能已逼近其物理極限。作為第三···
迎接第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)變革在電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域,小型化、高效化、高可靠性已成為不可逆的趨勢(shì)。傳統(tǒng)硅基器件的···
2025-08-20
在如今的電器市場(chǎng),消費(fèi)者對(duì)產(chǎn)品的要求日益嚴(yán)苛。大家既希望充電器能快速充滿電,又嫌棄它體積太大攜帶不便···
2025-07-17
1. 市場(chǎng)應(yīng)用現(xiàn)狀 近年來(lái),電動(dòng)自行車充電器領(lǐng)域?qū)Ω咝省⑿⌒突鉀Q方案的需求激增,氮化鎵(GaN)技術(shù)憑···
2025-06-12
隨著全球節(jié)能減排需求的提升,LED照明憑借其高效節(jié)能的優(yōu)勢(shì),已成為主流照明方式。然而,傳統(tǒng)硅基MOSFET在···
華燊泰推出了一款120W高性價(jià)比氮化鎵適配器方案。芯片HG65C1R120N是一個(gè)650V,120mΩ氮化鎵,DFN8X8封裝。實(shí)···
2025-03-21
2024-11-27