大力發(fā)展寬禁帶半導(dǎo)體為綠色能源做貢獻(xiàn)
嚴(yán)格的質(zhì)量控制和檢測(cè)流程
用芯片點(diǎn)亮綠色能源
歡迎加入
一款30W的1A1C口PD快充，該方案由電源主控芯片及同步整流IC和協(xié)議···
迎接第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)變革在電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域，小型化、高效化、高···
SiC MOSFET介紹及應(yīng)用在半導(dǎo)體技術(shù)迭代的浪潮中，以碳化硅（SiC）···
碳化硅在半導(dǎo)體領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)碳化硅之所以能在半導(dǎo)體領(lǐng)域異軍突起，···
氮化鎵是一種無機(jī)物質(zhì)，化學(xué)式為GaN，是氮和鎵的化合物，是一種具···
氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，由于其獨(dú)特的性質(zhì)和廣泛的···
IGBT在壓縮機(jī)中的應(yīng)用主要體現(xiàn)在電動(dòng)壓縮機(jī)的控制方法和裝置中。
包括獲取電動(dòng)壓縮機(jī)PCB板上設(shè)置的多個(gè)IGBT模塊中各模塊的溫度值，包括第一模塊溫度值、第二模塊溫度值和第三模塊溫度值。
